RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2989
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link