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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
51
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2687
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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