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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
5.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1925
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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