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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
45
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2283
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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