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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
3356
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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