RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
59
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
59
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2181
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link