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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
59
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
59
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2181
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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