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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
45
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
18.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3625
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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