RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
45
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
18.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3625
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link