RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3189
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-442.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link