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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
差异
规格
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3189
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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