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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
16.1
写入速度,GB/s
9.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2916
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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