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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
64
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
64
读取速度,GB/s
22.8
17.5
写入速度,GB/s
15.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2205
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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