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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
45
读取速度,GB/s
13.2
11.4
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2281
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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