RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
64
Autour de 73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
64
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2205
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link