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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
64
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
64
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2205
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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