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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
13.9
13.1
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2608
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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