RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2608
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link