RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
75
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
75
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1735
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link