RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
75
Autour de 40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
75
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1735
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link