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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
45
Por volta de -221% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
14
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
19.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
4362
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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