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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

总分
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    14 left arrow 45
    左右 -221% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    26.4 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    19.8 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 14
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 26.4
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 19.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 4362

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
内存RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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