RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
51
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
5.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1941
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link