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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
45
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2713
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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