RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2998
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link