RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2998
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link