RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
45
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2371
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link