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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2609
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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