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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1989
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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