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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
13.2
写入速度,GB/s
8.0
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1989
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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