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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
45
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2595
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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