RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
42
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2595
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link