RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2524
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link