RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2524
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link