RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
45
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3444
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link