Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 33
    Por volta de 24% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.8 left arrow 14.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 10.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
    Por volta de 1.11 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.3 left arrow 15.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.7 left arrow 11.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2583 left arrow 2824
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações