RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2583
2824
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link