RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2583
2824
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link