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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparez
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2583
2824
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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