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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2960
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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