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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2960
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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