RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3835
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link