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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
69
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2790
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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