RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3692
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link