RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2974
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link