RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3587
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link