RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3587
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link