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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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规格
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
20.5
写入速度,GB/s
8.0
15.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3587
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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