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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
69
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
36
读取速度,GB/s
3,325.1
14.3
写入速度,GB/s
1,441.2
8.1
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2332
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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