RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston K6VDX7-MIE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
69
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2332
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link