RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
48
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3597
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link