RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
48
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3597
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link